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　　近日，華磊光電公司的功率型45mil氮化鎵LED 芯片被評為2014年度湖南省產業(yè)技術創(chuàng)新十大標志性成果。該產品芯片制造采用了隱形切割技術和全方位反射膜技術。此兩項技術單項能夠提高芯片亮度5%—10%。同時，該產品采用華磊光電公司自行開發(fā)的圖形襯底技術，可以提高光提取效率，最終增加芯片的亮度。